|
Носители
|
CLEAR
|
SANITIZE
|
|
Магнитная Лента
|
|
Type I
|
a или b
|
a, b, или m
|
|
Type II
|
a или b
|
b или m
|
|
Type III
|
a или b
|
m
|
|
Магнитный Диск
|
|
Bernoullis
|
a, b, или c
|
m
|
|
Floppies
|
a, b, или c
|
m
|
|
Non-Removable Rigid Disk
|
c
|
a, b, d,
или m
|
|
Removable Rigid Disk
|
a, b, или c
|
a, b, d,
или m
|
|
Оптический Диск
|
|
Read Many, Write Many
|
c
|
m
|
|
Read Only
|
m, n
|
|
|
Write Once, Read Many (Worm)
|
m, n
|
|
|
Память
|
|
Dynamic Random Access memory (DRAM)
|
c или g
|
c, g, или m
|
|
Electronically Alterable PROM (EAPROM)
|
i
|
j или m
|
|
Electronically Erasable PROM (EEPROM)
|
i
|
h или m
|
|
Erasable Programmable ROM (EPROM)
|
k
|
l затем c, или m
|
|
Flash EPROM (FEPROM)
|
i
|
c затем i, или m
|
|
Programmable ROM (PROM)
|
c
|
m
|
|
Magnetic Bubble Memory
|
c
|
a, b, c, или m
|
|
Magnetic Core Memory
|
c
|
a, b, e, или m
|
|
Magnetic Plated Wire
|
c
|
c и f, или m
|
|
Magnetic Resistive Memory
|
c
|
m
|
|
Nonvolatile RAM (NOVRAM)
|
c или g
|
c, g, или m
|
|
Read Only Memory (ROM)
|
|
m
|
|
Static Random Access Memory (SRAM)
|
c или g
|
c и f, g, или m
|
|
Equipment (Мониторы)
|
|
Cathode Ray Tube (CRT)
|
g
|
q
|
|
Принтеры
|
|
Impact
|
g
|
p затем g
|
|
Laser
|
g
|
o затем g
|
|
a. Degauss with a
Type I degausser.(Дегаусс с типом I дегаузера)
b. Degauss with a
Type II degausser.(Дегаусс с типом II дегаузера)
c. Overwrite all
addressable locations with a single character.
(Переписать все адресуемые местоположения с единственным(отдельным)
характером(знаком))
d. Overwrite all
addressable locations with a character, its complement, then a random character
and verify. THIS METHOD IS NOT APPROVED FOR SANITIZING MEDIA THAT CONTAINS
TOP SECRET INFORMATION.
(Переписать все адресуемые местоположения с характером(знаком), его дополнением,
затем случайным знаком, и проверить. ЭТОТ МЕТОД НЕ ОДОБРЕН ДЛЯ
ОЧИСТКИ СРЕДСТВ ИНФОРМАЦИИ, КОТОРЫЙ СОДЕРЖИТ ВЫСШУЮ СЕКРЕТНУЮ ИНФОРМАЦИЮ.)
e. Overwrite all
addressable locations with a character, its complement, then a random character.
(Переписать все адресуемые местоположения с характером(знаком), его
дополнением, затем случайным знаком.)
f. Each overwrite
must reside in memory for a period longer than the classified data resided.
(Каждый перезаписываемый должен прожить в памяти в течение периода более
длинный, чем классифицируемые данные находились.)
g. Remove all power
to include battery power.
(Удалить все источники энергии, включая батареи.)
h. Overwrite all
locations with a random pattern, all locations with binary zeroes, all locations
with binary ones.
(Переписать все местоположения со случайным образцом, все местоположения с
двоичными нолями, все местоположения одним двоичным.)
i. Perform a full
chip erase as per manufacturer's data sheets.
(Выполнить, полное стирание чипа согласно инструкции изготовителя.)
j. Perform i above,
then c above, a total of three times.
(Выполните i., затем с., повторите 3 раза.)
k. Perform an
ultraviolet erase according to manufacturer's recommendation.
(Выполнить ультрафиолетовое
стирание согласно рекомендации
изготовителя.)
l. Perform k
above, but increase by a factor of three.
(Выполнить k., но увеличить силу в три раза.)
m. Destroy -
Disintegrate, incinerate, pulverize, shred, or melt.
(Уничтожить - Разложить, сжечь, распылить, перетереть.)
n. Destruction
required only if classified information is contained.
(Разрушать только, если классифицируемая информация содержится.)
o. Run five pages of
unclassified text (font test acceptable).
(Выпустить пять страниц несекретного текста (шрифт должен быть достаточно
приемлемый).)
p. Ribbons must be
destroyed. Platens must be cleaned.
(Ленты должны быть разрушены. Валики должен быть
очищены/удалены)
q. Inspect and/or
test screen surface for evidence of burned-in information. If present, the
cathode ray tube must be destroyed.
(Осмотреть, и/или проверить поверхность экрана на свидетельство(очевидность)
информации. Если информация присутствует, то катодная трубка должна быть
разрушена.)
|
